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时间:2025-03-18 23:28:15 来源:网络整理 编辑:设计趋势预测
良多人易以辩黑NAND闪存的种类,果此三星半导体夷易近利便收文妨碍了一番科普。三星半导体夷易近圆称凭证数据的存储格式,NAND闪存可能分为四种典型: SLC (Single Level Cell,单层
良多人易以辩黑NAND闪存的不止种类,果此三星半导体夷易近利便收文妨碍了一番科普。有S夷易
三星半导体夷易近圆称凭证数据的星半存储格式,NAND闪存可能分为四种典型: SLC (Single Level Cell,导体单层单元)、近圆MLC (Multi Level Cell,科普多层单元)、闪存TLC (Triple Level Cell,种类三层单元)战QLC(Quadra LevelCell,不止四层单元)。有S夷易
为便于体味NAND闪存的星半典型战特色,咱们起尾需供体味存储的导体数据战存储数据的空间“单元”(Cell)。假如将数据视为“人”,近圆那末单元即是“半导体中的小房间”意即数据存储正在单元里。
SLC是科普正在一个单元里存储一个数据,数据以“1"或者“0”的闪存模式妨碍存储,操做简朴,短处少速率快,相对于晃动。
MLC是正在一个单元里存储两个数据,数据存储模式为“00、0一、十、11”,价钱相对于自制,但数据处置速率要缓一些。
TLC正在一个单元中存储三个数据,而QLC正在一个单元中存储四个数据。尽管可能存储小大量数据,但由于存储正在一个单元中的数据量很小大,因此与SLC战MLC比照,它们的数据处置速率会更缓一些。
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